IXTH120P065T
IXTH120P065T
Osa numero:
IXTH120P065T
Valmistaja:
IXYS Corporation
Kuvaus:
MOSFET P-CH 65V 120A TO-247
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
19218 Pieces
Tietolomake:
IXTH120P065T.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IXTH120P065T, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXTH120P065T sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IXTH120P065T BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-247 (IXTH)
Sarja:TrenchP™
RDS (Max) @ Id, Vgs:10 mOhm @ 500mA, 10V
Tehonkulutus (Max):298W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-247-3
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:8 Weeks
Valmistajan osanumero:IXTH120P065T
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:13200pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:185nC @ 10V
FET tyyppi:P-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:P-Channel 65V 120A (Tc) 298W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Valua lähde jännite (Vdss):65V
Kuvaus:MOSFET P-CH 65V 120A TO-247
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:120A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit