Ostaa IXTH120P065T BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | TO-247 (IXTH) |
Sarja: | TrenchP™ |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 10 mOhm @ 500mA, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 298W (Tc) |
Pakkaus: | Tube |
Pakkaus / Case: | TO-247-3 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Through Hole |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 8 Weeks |
Valmistajan osanumero: | IXTH120P065T |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 13200pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 185nC @ 10V |
FET tyyppi: | P-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | P-Channel 65V 120A (Tc) 298W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH) |
Valua lähde jännite (Vdss): | 65V |
Kuvaus: | MOSFET P-CH 65V 120A TO-247 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 120A (Tc) |
Email: | [email protected] |