Ostaa IXTH60N20L2 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IXTH60N20L2
- Osa numero:
- IXTH60N20L2
- Valmistaja:
- IXYS Corporation
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 200V 60A TO-247
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijy vapaa vapautuksella / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 12356 Pieces
- Tietolomake:
- IXTH60N20L2.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IXTH60N20L2, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXTH60N20L2 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | TO-247 (IXTH) |
| Sarja: | Linear L2™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 45 mOhm @ 30A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 540W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-247-3 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 8 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | IXTH60N20L2 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 10500pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 255nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 200V 60A (Tc) 540W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH) |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 200V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 200V 60A TO-247 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 60A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IXTH60N20L2
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTH6N100D2 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 6A TO247 | tiedustelu |
|
IXTH64N10L2 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 64A TO-247 | tiedustelu |
|
IXTH60N30T | IXYS | MOSFET N-CH 300V 60A TO-247 | tiedustelu |
|
IXTH6N150 | IXYS | MOSFET N-CH 1500V 6A TO-247 | tiedustelu |
|
IXTH60N15 | IXYS | MOSFET N-CH 150V 60A TO-247 | tiedustelu |
|
IXTH6N120 | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247AD | tiedustelu |
|
IXTH64N65X | IXYS | MOSFET N-CH 650V 64A TO-247 | tiedustelu |
|
IXTH60N25 | IXYS | MOSFET N-CH 250V 60A TO-247 | tiedustelu |
|
IXTH62N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH 650V 62A TO-247 | tiedustelu |
|
IXTH67N10 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 67A TO247AD | tiedustelu |
|
IXTH68P20T | IXYS | MOSFET P-CH 200V 68A TO-247 | tiedustelu |
|
IXTH6N90 | IXYS | MOSFET N-CH 900V 6A TO-247 | tiedustelu |
|
IXTH6N50D2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 6A TO247 | tiedustelu |
|
IXTH60N10 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 60A TO-247 | tiedustelu |
|
IXTH6N90A | IXYS | MOSFET N-CH 900V 6A TO-247 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog