Ostaa IXTH75N10 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 4mA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | TO-247 (IXTH) |
Sarja: | MegaMOS™ |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 20 mOhm @ 37.5A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 300W (Tc) |
Pakkaus: | Tube |
Pakkaus / Case: | TO-247-3 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Through Hole |
Valmistajan toimitusaika: | 8 Weeks |
Valmistajan osanumero: | IXTH75N10 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 4500pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 260nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 100V 75A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH) |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Valua lähde jännite (Vdss): | 100V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 100V 75A TO247AD |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 75A (Tc) |
Email: | [email protected] |