IXTK200N10P
IXTK200N10P
Osa numero:
IXTK200N10P
Valmistaja:
IXYS Corporation
Kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 200A TO-264
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
14243 Pieces
Tietolomake:
IXTK200N10P.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IXTK200N10P, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXTK200N10P sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IXTK200N10P BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 500µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-264 (IXTK)
Sarja:PolarHT™
RDS (Max) @ Id, Vgs:7.5 mOhm @ 100A, 10V
Tehonkulutus (Max):800W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-264-3, TO-264AA
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:8 Weeks
Valmistajan osanumero:IXTK200N10P
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:7600pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:240nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 100V 200A (Tc) 800W (Tc) Through Hole TO-264 (IXTK)
Valua lähde jännite (Vdss):100V
Kuvaus:MOSFET N-CH 100V 200A TO-264
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:200A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit