Ostaa IXTP6N50D2 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | - |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | TO-220AB |
Sarja: | - |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 500 mOhm @ 3A, 0V |
Tehonkulutus (Max): | 300W (Tc) |
Pakkaus: | Tube |
Pakkaus / Case: | TO-220-3 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Through Hole |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 8 Weeks |
Valmistajan osanumero: | IXTP6N50D2 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 2800pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 96nC @ 5V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | Depletion Mode |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 500V 6A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220AB |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | - |
Valua lähde jännite (Vdss): | 500V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 500V 6A TO220AB |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 6A (Tc) |
Email: | [email protected] |