IXTP8N70X2M
Osa numero:
IXTP8N70X2M
Valmistaja:
IXYS Corporation
Kuvaus:
MOSFET N-CHANNEL 700V 4A TO220-3
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
13449 Pieces
Tietolomake:
IXTP8N70X2M.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IXTP8N70X2M, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXTP8N70X2M sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IXTP8N70X2M BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-220
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:550 mOhm @ 500mA, 10V
Tehonkulutus (Max):32W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-220-3
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:10 Weeks
Valmistajan osanumero:IXTP8N70X2M
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:800pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:12nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 700V 4A (Tc) 32W (Tc) Through Hole TO-220
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):700V
Kuvaus:MOSFET N-CHANNEL 700V 4A TO220-3
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:4A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit