Ostaa IXTQ30N60L2 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IXTQ30N60L2
- Osa numero:
- IXTQ30N60L2
- Valmistaja:
- IXYS Corporation
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 600V 30A TO-3P
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 16415 Pieces
- Tietolomake:
- IXTQ30N60L2.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IXTQ30N60L2, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXTQ30N60L2 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 250µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | TO-3P |
| Sarja: | Linear L2™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 240 mOhm @ 15A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 540W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 8 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | IXTQ30N60L2 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 10700pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 335nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 600V 30A (Tc) 540W (Tc) Through Hole TO-3P |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 600V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 600V 30A TO-3P |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 30A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IXTQ30N60L2
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTQ36N30P | IXYS | MOSFET N-CH 300V 36A TO-3P | tiedustelu |
|
IXTQ30N50L2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 30A TO-3P | tiedustelu |
|
IXTQ32N65X | IXYS | MOSFET N-CH 650V 32A TO-3P | tiedustelu |
|
IXTQ30N50L | IXYS | MOSFET N-CH 500V 30A TO-3P | tiedustelu |
|
IXTQ30N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 30A TO-3P | tiedustelu |
 |
IXFC22N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 12A ISOPLUS220 | tiedustelu |
|
IXTQ36P15P | IXYS | MOSFET P-CH 150V 36A TO-3P | tiedustelu |
 |
IPP086N10N3GHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3 | tiedustelu |
|
IXTQ30N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 30A TO-3P | tiedustelu |
|
IXTQ36N20T | IXYS | MOSFET N-CH 200V TO-3P | tiedustelu |
|
IXTQ36N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 36A TO-3P | tiedustelu |
 |
DMN2075U-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 | tiedustelu |
 |
IXFX64N50Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 64A PLUS247 | tiedustelu |
 |
IRLS3034PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 195A D2-PAK | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog