Ostaa IXTQ75N10P BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 5.5V @ 250µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | TO-3P |
Sarja: | PolarHT™ |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 25 mOhm @ 500mA, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 360W (Tc) |
Pakkaus: | Tube |
Pakkaus / Case: | TO-3P-3, SC-65-3 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Through Hole |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 8 Weeks |
Valmistajan osanumero: | IXTQ75N10P |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 2250pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 74nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 100V 75A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-3P |
Valua lähde jännite (Vdss): | 100V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 100V 75A TO-3P |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 75A (Tc) |
Email: | sales@bychips.com |