Ostaa IXTT30N60L2 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IXTT30N60L2
- Osa numero:
- IXTT30N60L2
- Valmistaja:
- IXYS Corporation
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 600V 30A TO-268
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 13338 Pieces
- Tietolomake:
- IXTT30N60L2.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IXTT30N60L2, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXTT30N60L2 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | TO-268 |
| Sarja: | Linear L2™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 240 mOhm @ 15A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 540W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 8 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | IXTT30N60L2 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 10700pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 335nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 600V 30A (Tc) 540W (Tc) Surface Mount TO-268 |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 600V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 600V 30A TO-268 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 30A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IXTT30N60L2
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTT30N50L | IXYS | MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 | tiedustelu |
 |
NTD4804NT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 14.5A DPAK | tiedustelu |
 |
IXTT36N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 36A TO-268 D3 | tiedustelu |
 |
IXTT30N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 D3 | tiedustelu |
|
IXTT30N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 30A TO-268 D3 | tiedustelu |
|
IXTT3N200P3HV | IXYS | 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF | tiedustelu |
 |
IXTT30N50L2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 | tiedustelu |
 |
PHD3055E,118 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 10.3A DPAK | tiedustelu |
 |
PSMN1R7-60BS,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK | tiedustelu |
|
IXTT36P10 | IXYS | MOSFET P-CH 100V 36A TO-268 | tiedustelu |
 |
SUP80090E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 150V 128A TO220AB | tiedustelu |
 |
IXTT360N055T2 | IXYS | MOSFET N-CH 55V 360A TO268 | tiedustelu |
 |
NTMFS4821NT3G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 8.8A SO-8FL | tiedustelu |
 |
PSMN2R5-60PLQ | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 1.5A TO-220 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog