IXTX6N200P3HV
IXTX6N200P3HV
Osa numero:
IXTX6N200P3HV
Valmistaja:
IXYS Corporation
Kuvaus:
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijy vapaa vapautuksella / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
16710 Pieces
Tietolomake:
IXTX6N200P3HV.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IXTX6N200P3HV, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXTX6N200P3HV sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IXTX6N200P3HV BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-247HV
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:4 Ohm @ 3A, 10V
Tehonkulutus (Max):960W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-247-3 Variant
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:14 Weeks
Valmistajan osanumero:IXTX6N200P3HV
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:3700pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:143nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 2000V (2kV) 6A (Tc) 960W (Tc) Through Hole TO-247HV
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):2000V (2kV)
Kuvaus:2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:6A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit