Ostaa IXXH50N60B3D1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IXXH50N60B3D1
- Osa numero:
- IXXH50N60B3D1
- Valmistaja:
- IXYS Corporation
- Kuvaus:
- IGBT 600V 120A 600W TO247
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 16940 Pieces
- Tietolomake:
- IXXH50N60B3D1.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IXXH50N60B3D1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXXH50N60B3D1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 600V |
|---|---|
| Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: | 1.8V @ 15V, 36A |
| Testaa kunto: | 360V, 36A, 5 Ohm, 15V |
| Td (päällä / pois) @ 25 ° C: | 27ns/100ns |
| Switching Energy: | 670µJ (on), 740µJ (off) |
| Toimittaja Device Package: | TO-247 (IXXH) |
| Sarja: | GenX3™, XPT™ |
| Käänteinen Recovery Time (TRR): | 25ns |
| Virta - Max: | 600W |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-247-3 |
| Käyttölämpötila: | - |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 8 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | IXXH50N60B3D1 |
| Syötetyyppi: | Standard |
| IGBT Tyyppi: | PT |
| Gate Charge: | 70nC |
| Laajennettu kuvaus: | IGBT PT 600V 120A 600W Through Hole TO-247 (IXXH) |
| Kuvaus: | IGBT 600V 120A 600W TO247 |
| Nykyinen - Collector Pulssi (ICM): | 200A |
| Nykyinen - Collector (le) (Max): | 120A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IXXH50N60B3D1
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IRGSL10B60KDPBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 22A 156W TO220-3 | tiedustelu |
 |
IXXH50N60C3 | IXYS | IGBT 600V 100A 600W TO247AD | tiedustelu |
 |
IRG4RC10KTR | Infineon Technologies | IGBT 600V 9A 38W DPAK | tiedustelu |
|
IXXH50N60C3D1 | IXYS | IGBT 600V 100A 600W TO247AD | tiedustelu |
 |
STGW40H60DLFB | STMicroelectronics | IGBT 600V 80A 283W TO-247 | tiedustelu |
|
IXXH50N60B3 | IXYS | IGBT 600V 120A 600W TO247 | tiedustelu |
|
IRG8CH42K10F | Infineon Technologies | IGBT 1200V 40A DIE | tiedustelu |
 |
STGP5H60DF | STMicroelectronics | TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S | tiedustelu |
 |
AUIRG4BC30USTRL | Infineon Technologies | IGBT 600V 23A 100W D2PAK | tiedustelu |
 |
SGD06N60BUMA1 | Infineon Technologies | IGBT 600V 12A 68W TO252-3 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog