Ostaa IXYH75N65C3H1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IXYH75N65C3H1
- Osa numero:
- IXYH75N65C3H1
- Valmistaja:
- IXYS Corporation
- Kuvaus:
- IGBT 650V 170A 750W TO247
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 14114 Pieces
- Tietolomake:
- IXYH75N65C3H1.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IXYH75N65C3H1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXYH75N65C3H1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 650V |
|---|---|
| Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: | 2.3V @ 15V, 60A |
| Testaa kunto: | 400V, 60A, 3 Ohm, 15V |
| Td (päällä / pois) @ 25 ° C: | 27ns/93ns |
| Switching Energy: | 2.8mJ (on), 1mJ (off) |
| Toimittaja Device Package: | TO-247 (IXYH) |
| Sarja: | GenX3™, XPT™ |
| Käänteinen Recovery Time (TRR): | 150ns |
| Virta - Max: | 750W |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-247-3 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 12 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | IXYH75N65C3H1 |
| Syötetyyppi: | Standard |
| IGBT Tyyppi: | PT |
| Gate Charge: | 123nC |
| Laajennettu kuvaus: | IGBT PT 650V 170A 750W Through Hole TO-247 (IXYH) |
| Kuvaus: | IGBT 650V 170A 750W TO247 |
| Nykyinen - Collector Pulssi (ICM): | 360A |
| Nykyinen - Collector (le) (Max): | 170A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IXYH75N65C3H1
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IXYH75N65C3 | IXYS | IGBT 650V 170A 750W TO247 | tiedustelu |
 |
NGTB15N60R2FG | ON Semiconductor | IGBT 15A 600V TO220-3 | tiedustelu |
 |
APT25GP120BDQ1G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 69A 417W TO247 | tiedustelu |
 |
IRG7CH46UED | Infineon Technologies | IGBT 1200V ULTRA FAST DIE | tiedustelu |
 |
APT13GP120KG | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 41A 250W TO220 | tiedustelu |
 |
IKD10N60RFATMA1 | Infineon Technologies | IGBT 600V 20A 150W PG-TO252-3 | tiedustelu |
 |
STGW25H120F2 | STMicroelectronics | IGBT H-SERIES 1200V 25A TO-247 | tiedustelu |
 |
IXDT30N120 | IXYS | IGBT 1200V 60A 300W TO268AA | tiedustelu |
|
APT68GA60B | Microsemi Corporation | IGBT 600V 121A 520W TO-247 | tiedustelu |
|
IRG4BAC50W-S | Infineon Technologies | IGBT 600V 55A 200W SUPER 220 | tiedustelu |
 |
GN2470K4-G | Microchip Technology | IC IGBT 700V 3.5A 3DPAK | tiedustelu |
 |
IXYP8N90C3D1 | IXYS | IGBT 900V 20A 125W TO220 | tiedustelu |
 |
IRGSL6B60KDPBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 13A 90W TO262 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog