Ostaa IXZR18N50B-00 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IXZR18N50B-00
- Osa numero:
- IXZR18N50B-00
- Valmistaja:
- IXYS Corporation
- Kuvaus:
- RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 17038 Pieces
- Tietolomake:
- IXZR18N50B-00.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IXZR18N50B-00, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXZR18N50B-00 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Testi: | - |
|---|---|
| Jännite - Rated: | 500V |
| transistori tyyppi: | N-Channel |
| Toimittaja Device Package: | PLUS247™-3 |
| Sarja: | Z-MOS™ |
| Virta - Output: | 350W |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-247-3 |
| Noise Kuva: | - |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 10 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | IXZR18N50B-00 |
| Saada: | - |
| Taajuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | RF Mosfet N-Channel 350W PLUS247™-3 |
| Kuvaus: | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 |
| Nykyinen arvostelu: | 1mA |
| Nykyinen - Testi: | - |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IXZR18N50B-00
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
ATF-541M4-BLK | Broadcom Limited | IC ENHANCED MOD SUDIOMORPHIC HEM | tiedustelu |
 |
IXZR18N50A-00 | IXYS | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | tiedustelu |
 |
VRF157FL | Microsemi Corporation | MOSFET RF PWR N-CH 50V 600W T2 | tiedustelu |
 |
BF1102R,135 | NXP USA Inc. | FET RF 7V 800MHZ 6TSSOP | tiedustelu |
|
IXZR16N60 | IXYS | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | tiedustelu |
 |
BLF8G27LS-100U | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B | tiedustelu |
|
IXZR18N50 | IXYS | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | tiedustelu |
|
MRF6V2010GNR5 | NXP USA Inc. | FET RF 110V 220MHZ TO-270-2 | tiedustelu |
 |
BLF8G24LS-150VU | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1244B | tiedustelu |
 |
BLA0912-250R,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 75V 13DB SOT502A | tiedustelu |
 |
MRFE6VP8600HSR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 130V 860MHZ NI1230S | tiedustelu |
 |
MRF6VP3091NBR1 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 115V 860MHZ TO272-4 | tiedustelu |
 |
MRF6S9125NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 880MHZ TO-270-4 | tiedustelu |
 |
BLF2425M6L180P,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 13.3DB SOT539A | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog