Ostaa JAN1N3595A-1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
JAN1N3595A-1
- Osa numero:
- JAN1N3595A-1
- Valmistaja:
- Microsemi
- Kuvaus:
- DIODE GEN PURP 125V 150MA DO35
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 14360 Pieces
- Tietolomake:
- JAN1N3595A-1.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä JAN1N3595A-1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma JAN1N3595A-1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos: | 920mV @ 100mA |
|---|---|
| Jännite - DC Reverse (Vr) (Max): | 125V |
| Toimittaja Device Package: | DO-35 |
| Nopeus: | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Sarja: | Military, MIL-PRF-19500/241 |
| Käänteinen Recovery Time (TRR): | 3µs |
| Pakkaus: | Bulk |
| Pakkaus / Case: | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Muut nimet: | 1086-16787 1086-16787-MIL |
| Käyttölämpötila - liitäntä: | -65°C ~ 175°C |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | JAN1N3595A-1 |
| Laajennettu kuvaus: | Diode Standard 125V 150mA Through Hole DO-35 |
| diodi Tyyppi: | Standard |
| Kuvaus: | DIODE GEN PURP 125V 150MA DO35 |
| Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr: | 2nA @ 125V |
| Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io): | 150mA |
| Kapasitanssi @ Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat JAN1N3595A-1
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
JAN1N3595AUS | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 125V 150MA | tiedustelu |
|
JAN1N3595UR-1 | Microsemi Corporation | DIODE GP 125V 150MA DO213AA | tiedustelu |
|
JAN1N3595AUR-1 | Microsemi Corporation | DIODE GP 125V 150MA DO213AA | tiedustelu |
 |
JAN1N3034B-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 39V 1W DO41 | tiedustelu |
 |
JAN1N3595-1 | Microsemi Corporation | DIODE SW 125V 150MA DO35 | tiedustelu |
|
JAN1N3038D-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 56V 1W DO41 | tiedustelu |
 |
JAN1N3019BUR-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 9.1V 1W DO213AB | tiedustelu |
 |
JAN1N3174 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 300A DO205 | tiedustelu |
|
JAN1N3042D-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 82V 1W DO41 | tiedustelu |
|
JAN1N3039B-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 62V 1W DO41 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog