Ostaa JANS1N5806US BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
JANS1N5806US
- Osa numero:
- JANS1N5806US
- Valmistaja:
- Microsemi
- Kuvaus:
- DIODE GEN PURP 150V 1A D5A
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 16487 Pieces
- Tietolomake:
- JANS1N5806US.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä JANS1N5806US, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma JANS1N5806US sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos: | 875mV @ 1A |
|---|---|
| Jännite - DC Reverse (Vr) (Max): | 150V |
| Toimittaja Device Package: | D-5A |
| Nopeus: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Sarja: | Military, MIL-PRF-19500/477 |
| Käänteinen Recovery Time (TRR): | 25ns |
| Pakkaus: | Bulk |
| Pakkaus / Case: | SQ-MELF, A |
| Muut nimet: | 1086-15144 1086-15144-MIL |
| Käyttölämpötila - liitäntä: | -65°C ~ 175°C |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | JANS1N5806US |
| Laajennettu kuvaus: | Diode Standard 150V 1A Surface Mount D-5A |
| diodi Tyyppi: | Standard |
| Kuvaus: | DIODE GEN PURP 150V 1A D5A |
| Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr: | 1µA @ 150V |
| Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io): | 1A |
| Kapasitanssi @ Vr, F: | 25pF @ 10V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat JANS1N5806US
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
JANS1N5617US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 1A D5A | tiedustelu |
 |
JANS1N5418 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL | tiedustelu |
 |
JANS1N5806 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 150V 1A AXIAL | tiedustelu |
 |
JANS1N5809 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL | tiedustelu |
 |
JANS1N5298-1 | Microsemi Corporation | DIODE CURRENT REG DO-7 | tiedustelu |
 |
JANS1N5968US | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 5.6V 5W AXIAL | tiedustelu |
|
JANS1N5615 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | tiedustelu |
 |
JANS1N5819-1 | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO41 | tiedustelu |
|
JANS1N5969CUS | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 6.2V 5W AXIAL | tiedustelu |
|
JANS1N5968 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 5.6V 5W AXIAL | tiedustelu |
|
JANS1N5552 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL | tiedustelu |
|
JANS1N5816 | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 150V 20A DO203AA | tiedustelu |
|
JANS1N5969US | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 6.2V 5W AXIAL | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog