JANTXV1N5809URS
Osa numero:
JANTXV1N5809URS
Valmistaja:
Microsemi
Kuvaus:
DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
17875 Pieces
Tietolomake:
JANTXV1N5809URS.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä JANTXV1N5809URS, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma JANTXV1N5809URS sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa JANTXV1N5809URS BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos:875mV @ 4A
Jännite - DC Reverse (Vr) (Max):100V
Toimittaja Device Package:B, SQ-MELF
Nopeus:Fast Recovery = 200mA (Io)
Sarja:Military, MIL-PRF-19500/477
Käänteinen Recovery Time (TRR):30ns
Pakkaus:Bulk
Pakkaus / Case:SQ-MELF, B
Muut nimet:1086-19443
1086-19443-MIL
Käyttölämpötila - liitäntä:-65°C ~ 175°C
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:JANTXV1N5809URS
Laajennettu kuvaus:Diode Standard 100V 3A Surface Mount B, SQ-MELF
diodi Tyyppi:Standard
Kuvaus:DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG
Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr:5µA @ 100V
Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io):3A
Kapasitanssi @ Vr, F:60pF @ 10V, 1MHz
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit