Ostaa LND150N3-G-P002 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
LND150N3-G-P002
- Osa numero:
- LND150N3-G-P002
- Valmistaja:
- Micrel / Microchip Technology
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 12954 Pieces
- Tietolomake:
- LND150N3-G-P002.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä LND150N3-G-P002, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma LND150N3-G-P002 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | - |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | TO-92-3 |
| Sarja: | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 1000 Ohm @ 500µA, 0V |
| Tehonkulutus (Max): | 740mW (Ta) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 20 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | LND150N3-G-P002 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 10pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | Depletion Mode |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 500V 30mA (Tj) 740mW (Ta) Through Hole TO-92-3 |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 500V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 30mA (Tj) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat LND150N3-G-P002
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
LND150K1-G | Microchip Technology | MOSFET N-CH 500V 0.013A SOT23-3 | tiedustelu |
 |
IRL2505S | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK | tiedustelu |
 |
LND150N3-G-P014 | Microchip Technology | MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3 | tiedustelu |
|
LND150N3-G-P003 | Microchip Technology | MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3 | tiedustelu |
|
LND150N3-G | Microchip Technology | MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3 | tiedustelu |
|
LND150N3-G-P013 | Microchip Technology | MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3 | tiedustelu |
 |
TPH6400ENH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 200V 21A 8-SOP | tiedustelu |
 |
FQB11N40TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 400V 11.4A D2PAK | tiedustelu |
|
HUFA75333S3S | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 55V 66A D2PAK | tiedustelu |
 |
LND150N8-G | Microchip Technology | MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog