MBT3904DW1T3G
MBT3904DW1T3G
Osa numero:
MBT3904DW1T3G
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT363
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
17751 Pieces
Tietolomake:
MBT3904DW1T3G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä MBT3904DW1T3G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma MBT3904DW1T3G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa MBT3904DW1T3G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 5mA, 50mA
transistori tyyppi:2 NPN (Dual)
Toimittaja Device Package:SC-88/SC70-6/SOT-363
Sarja:-
Virta - Max:150mW
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Muut nimet:MBT3904DW1T3G-ND
MBT3904DW1T3GOSTR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:4 Weeks
Valmistajan osanumero:MBT3904DW1T3G
Taajuus - Siirtyminen:300MHz
Laajennettu kuvaus:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 40V 200mA 300MHz 150mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Kuvaus:TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT363
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:100 @ 10mA, 1V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):-
Nykyinen - Collector (le) (Max):200mA
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit