MBT6429DW1T1G
MBT6429DW1T1G
Osa numero:
MBT6429DW1T1G
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
TRANS 2NPN 45V 0.2A SOT363
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
14511 Pieces
Tietolomake:
MBT6429DW1T1G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä MBT6429DW1T1G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma MBT6429DW1T1G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa MBT6429DW1T1G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:600mV @ 5mA, 100mA
transistori tyyppi:2 NPN (Dual)
Toimittaja Device Package:SC-88/SC70-6/SOT-363
Sarja:-
Virta - Max:150mW
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Muut nimet:MBT6429DW1T1G-ND
MBT6429DW1T1GOSTR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:10 Weeks
Valmistajan osanumero:MBT6429DW1T1G
Taajuus - Siirtyminen:700MHz
Laajennettu kuvaus:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 45V 200mA 700MHz 150mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Kuvaus:TRANS 2NPN 45V 0.2A SOT363
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:500 @ 100µA, 5V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):100nA
Nykyinen - Collector (le) (Max):200mA
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit