Ostaa MCMNP517-TP BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
MCMNP517-TP
- Osa numero:
- MCMNP517-TP
- Valmistaja:
- Micro Commercial Components (MCC)
- Kuvaus:
- MOSFET N/P-CH 12V 6A/4.1A
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 17281 Pieces
- Tietolomake:
- MCMNP517-TP.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä MCMNP517-TP, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma MCMNP517-TP sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| Toimittaja Device Package: | DFN2020-6U |
| Sarja: | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 24 mOhm @ 6A, 10V |
| Virta - Max: | - |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | 6-VDFN Exposed Pad |
| Muut nimet: | MCMNP517 MCMNP517-TPMSTR MCMNP517MSTR MCMNP517MSTR-ND |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 8 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | MCMNP517-TP |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 630pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 12nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N and P-Channel |
| FET Ominaisuus: | Standard |
| Laajennettu kuvaus: | Mosfet Array N and P-Channel 12V 6A, 4.1A Surface Mount DFN2020-6U |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 12V |
| Kuvaus: | MOSFET N/P-CH 12V 6A/4.1A |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 6A, 4.1A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat MCMNP517-TP
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
NVMFD5877NLT1G | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SOIC | tiedustelu |
 |
GWM220-004P3-SMD | IXYS | MOSFET 6N-CH 40V 180A ISOPLUS | tiedustelu |
 |
AUIRF7316Q | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOIC | tiedustelu |
 |
FDC6327C | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 20V SSOT-6 | tiedustelu |
 |
SI4974DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-SOIC | tiedustelu |
 |
APTM50AM24SCG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 500V 150A SP6 | tiedustelu |
|
IRF8910TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC | tiedustelu |
 |
SIZ902DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR | tiedustelu |
 |
EPC2105ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE | tiedustelu |
 |
APTM50AM24SG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 500V 150A SP6 | tiedustelu |
 |
IRF7756TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP | tiedustelu |
 |
PMGD8000LN,115 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog