Ostaa MG17450WB-BN4MM BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
MG17450WB-BN4MM
- Osa numero:
- MG17450WB-BN4MM
- Valmistaja:
- Littelfuse
- Kuvaus:
- IGBT MOD 1700V 450A PKG WB CRT:B
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 17627 Pieces
- Tietolomake:
- MG17450WB-BN4MM.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä MG17450WB-BN4MM, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma MG17450WB-BN4MM sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 1700V |
|---|---|
| Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: | 2.45V @ 15V, 450A |
| Toimittaja Device Package: | WB |
| Sarja: | - |
| Virta - Max: | 2250W |
| Pakkaus / Case: | Module |
| Käyttölämpötila: | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| NTC Thermistor: | Yes |
| Asennustyyppi: | Chassis Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 10 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | MG17450WB-BN4MM |
| Input kapasitanssi (Cies) @ Vce: | 40.5nF @ 25V |
| panos: | Standard |
| IGBT Tyyppi: | Trench Field Stop |
| Laajennettu kuvaus: | IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1700V 600A 2250W Chassis Mount WB |
| Kuvaus: | IGBT MOD 1700V 450A PKG WB CRT:B |
| Nykyinen - Collector Cutoff (Max): | 3mA |
| Nykyinen - Collector (le) (Max): | 600A |
| kokoonpano: | Half Bridge |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat MG17450WB-BN4MM
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
APTGT30DDA60T3G | Microsemi Corporation | IGBT MOD TRENCH DL BST CHOP SP3 | tiedustelu |
|
APTGT450DU60G | Microsemi Corporation | IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP6 | tiedustelu |
 |
APT35GP120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 64A 284W SOT227 | tiedustelu |
 |
VS-GB300NH120N | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 500A 1645W INT-A-PAK | tiedustelu |
 |
MUBW15-06A6K | IXYS | MODULE IGBT CBI E1 | tiedustelu |
|
IXGN40N60CD1 | IXYS | IGBT 600V SOT-227B | tiedustelu |
|
VS-GB600AH120N | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 910A 3125W INT-A-PAK | tiedustelu |
|
MWI75-06A7 | IXYS | MOD IGBT SIXPACK RBSOA 600V E2 | tiedustelu |
 |
APT85GR120J | Microsemi Corporation | IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP | tiedustelu |
|
MIXA30WB1200TED | IXYS | IGBT MODULE 1200V 30A | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog