MJD112-001
MJD112-001
Osa numero:
MJD112-001
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
16766 Pieces
Tietolomake:
MJD112-001.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä MJD112-001, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma MJD112-001 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa MJD112-001 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:3V @ 40mA, 4A
transistori tyyppi:NPN - Darlington
Toimittaja Device Package:I-Pak
Sarja:-
Virta - Max:1.75W
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Muut nimet:MJD112-001OS
Käyttölämpötila:-65°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:MJD112-001
Taajuus - Siirtyminen:25MHz
Laajennettu kuvaus:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 2A 25MHz 1.75W Through Hole I-Pak
Kuvaus:TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:1000 @ 2A, 3V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):20µA
Nykyinen - Collector (le) (Max):2A
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit