MJD210T4G
MJD210T4G
Osa numero:
MJD210T4G
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
TRANS PNP 25V 5A DPAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
13325 Pieces
Tietolomake:
MJD210T4G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä MJD210T4G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma MJD210T4G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa MJD210T4G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):25V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:1.8V @ 1A, 5A
transistori tyyppi:PNP
Toimittaja Device Package:DPAK-3
Sarja:-
Virta - Max:1.4W
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Muut nimet:MJD210T4GOS
MJD210T4GOS-ND
MJD210T4GOSTR
Käyttölämpötila:-65°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:10 Weeks
Valmistajan osanumero:MJD210T4G
Taajuus - Siirtyminen:65MHz
Laajennettu kuvaus:Bipolar (BJT) Transistor PNP 25V 5A 65MHz 1.4W Surface Mount DPAK-3
Kuvaus:TRANS PNP 25V 5A DPAK
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:45 @ 2A, 1V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Nykyinen - Collector (le) (Max):5A
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit