MJD31T4G
MJD31T4G
Osa numero:
MJD31T4G
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
TRANS NPN 40V 3A DPAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
17842 Pieces
Tietolomake:
MJD31T4G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä MJD31T4G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma MJD31T4G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa MJD31T4G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:1.2V @ 375mA, 3A
transistori tyyppi:NPN
Toimittaja Device Package:DPAK-3
Sarja:-
Virta - Max:1.56W
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Muut nimet:MJD31T4G-ND
MJD31T4GOSTR
Käyttölämpötila:-65°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:9 Weeks
Valmistajan osanumero:MJD31T4G
Taajuus - Siirtyminen:3MHz
Laajennettu kuvaus:Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 3A 3MHz 1.56W Surface Mount DPAK-3
Kuvaus:TRANS NPN 40V 3A DPAK
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:10 @ 3A, 4V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):50µA
Nykyinen - Collector (le) (Max):3A
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit