MJD41CT4G
MJD41CT4G
Osa numero:
MJD41CT4G
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
TRANS NPN 100V 6A DPAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
12787 Pieces
Tietolomake:
MJD41CT4G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä MJD41CT4G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma MJD41CT4G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa MJD41CT4G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:1.5V @ 600mA, 6A
transistori tyyppi:NPN
Toimittaja Device Package:DPAK-3
Sarja:-
Virta - Max:1.75W
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Muut nimet:MJD41CT4GOS
MJD41CT4GOS-ND
MJD41CT4GOSTR
Käyttölämpötila:-65°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:17 Weeks
Valmistajan osanumero:MJD41CT4G
Taajuus - Siirtyminen:3MHz
Laajennettu kuvaus:Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 6A 3MHz 1.75W Surface Mount DPAK-3
Kuvaus:TRANS NPN 100V 6A DPAK
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:15 @ 3A, 4V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):50µA
Nykyinen - Collector (le) (Max):6A
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit