MJD42CT4G
MJD42CT4G
Osa numero:
MJD42CT4G
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
TRANS PNP 100V 6A DPAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
13814 Pieces
Tietolomake:
MJD42CT4G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä MJD42CT4G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma MJD42CT4G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa MJD42CT4G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:1.5V @ 600mA, 6A
transistori tyyppi:PNP
Toimittaja Device Package:DPAK-3
Sarja:-
Virta - Max:1.75W
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Muut nimet:MJD42CT4GOS
MJD42CT4GOS-ND
MJD42CT4GOSTR
Käyttölämpötila:-65°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:10 Weeks
Valmistajan osanumero:MJD42CT4G
Taajuus - Siirtyminen:3MHz
Laajennettu kuvaus:Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 6A 3MHz 1.75W Surface Mount DPAK-3
Kuvaus:TRANS PNP 100V 6A DPAK
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:15 @ 3A, 4V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):50µA
Nykyinen - Collector (le) (Max):6A
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit