MJD44H11T4G
MJD44H11T4G
Osa numero:
MJD44H11T4G
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
TRANS NPN 80V 8A DPAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
12210 Pieces
Tietolomake:
MJD44H11T4G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä MJD44H11T4G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma MJD44H11T4G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa MJD44H11T4G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:1V @ 400mA, 8A
transistori tyyppi:NPN
Toimittaja Device Package:DPAK-3
Sarja:-
Virta - Max:1.75W
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Muut nimet:MJD44H11T4GOS
MJD44H11T4GOS-ND
MJD44H11T4GOSTR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:10 Weeks
Valmistajan osanumero:MJD44H11T4G
Taajuus - Siirtyminen:85MHz
Laajennettu kuvaus:Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 8A 85MHz 1.75W Surface Mount DPAK-3
Kuvaus:TRANS NPN 80V 8A DPAK
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:40 @ 4A, 1V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):1µA
Nykyinen - Collector (le) (Max):8A
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit