MJE3055T
MJE3055T
Osa numero:
MJE3055T
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
TRANS NPN 60V 10A TO220AB
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
17479 Pieces
Tietolomake:
MJE3055T.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä MJE3055T, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma MJE3055T sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa MJE3055T BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:8V @ 3.3A, 10A
transistori tyyppi:NPN
Toimittaja Device Package:TO-220AB
Sarja:-
Virta - Max:75W
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-220-3
Muut nimet:MJE3055TOS
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:MJE3055T
Taajuus - Siirtyminen:2MHz
Laajennettu kuvaus:Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 10A 2MHz 75W Through Hole TO-220AB
Kuvaus:TRANS NPN 60V 10A TO220AB
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:20 @ 4A, 4V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):700µA
Nykyinen - Collector (le) (Max):10A
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit