Ostaa MMBD914-E3-18 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
MMBD914-E3-18
- Osa numero:
- MMBD914-E3-18
- Valmistaja:
- Vishay / Semiconductor - Diodes Division
- Kuvaus:
- DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 16998 Pieces
- Tietolomake:
- MMBD914-E3-18.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä MMBD914-E3-18, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma MMBD914-E3-18 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos: | 1V @ 10mA |
|---|---|
| Jännite - DC Reverse (Vr) (Max): | 100V |
| Toimittaja Device Package: | SOT-23 |
| Nopeus: | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Sarja: | Automotive, AEC-Q101 |
| Käänteinen Recovery Time (TRR): | 4ns |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Käyttölämpötila - liitäntä: | 150°C (Max) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 16 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | MMBD914-E3-18 |
| Laajennettu kuvaus: | Diode Standard 100V 200mA Surface Mount SOT-23 |
| diodi Tyyppi: | Standard |
| Kuvaus: | DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23 |
| Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr: | 5µA @ 75V |
| Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io): | 200mA |
| Kapasitanssi @ Vr, F: | 4pF @ 0V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat MMBD914-E3-18
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
MMBD914-HE3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23 | tiedustelu |
|
MMBD914-HE3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23 | tiedustelu |
 |
MMBD914-E3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23 | tiedustelu |
|
MMBD914-G3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23 | tiedustelu |
|
MMBD914-G3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23 | tiedustelu |
 |
MURS340HE3_A/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE UFAST 400V 3A DO214AB | tiedustelu |
 |
IDW12G65C5FKSA1 | Infineon Technologies | DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO247-3 | tiedustelu |
 |
RS1B-E3/61T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC | tiedustelu |
 |
1N4053R | Powerex Inc. | DIODE GEN PURP 700V 275A DO205AB | tiedustelu |
|
1N3289A | Powerex Inc. | DIODE GEN PURP 200V 100A DO205AA | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog