Ostaa MMBF170LT1G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
MMBF170LT1G
- Osa numero:
- MMBF170LT1G
- Valmistaja:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 60V 500MA SOT-23
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 16765 Pieces
- Tietolomake:
- MMBF170LT1G.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä MMBF170LT1G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma MMBF170LT1G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | SOT-23-3 (TO-236) |
| Sarja: | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 5 Ohm @ 200mA, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 225mW (Ta) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Muut nimet: | MMBF170LT1GOS MMBF170LT1GOS-ND MMBF170LT1GOSTR |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 17 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | MMBF170LT1G |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 60pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 60V 500mA (Ta) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 60V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 60V 500MA SOT-23 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 500mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat MMBF170LT1G
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
MMBF170LT3 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 500MA SOT-23 | tiedustelu |
 |
IPP045N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 | tiedustelu |
 |
IPD80N04S3-06 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 | tiedustelu |
 |
FQA48N20 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 48A TO-3P | tiedustelu |
 |
IRF3711ZSTRL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK | tiedustelu |
|
MMBF170LT3G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 500MA SOT-23 | tiedustelu |
|
MMBF170LT1 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 500MA SOT-23 | tiedustelu |
 |
IRF3000 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 300V 1.6A 8-SOIC | tiedustelu |
 |
BUK963R1-40E,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK | tiedustelu |
 |
AOD4454 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 150V 3A TO252 | tiedustelu |
 |
NTTFS5116PLTWG | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-WDFN | tiedustelu |
 |
BSS84W-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 50V 130MA SC70-3 | tiedustelu |
 |
DN3135N8-G | Microchip Technology | MOSFET N-CH 350V 0.135A SOT89-3 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers