MMBT123S-7
MMBT123S-7
Osa numero:
MMBT123S-7
Valmistaja:
Diodes Incorporated
Kuvaus:
TRANS NPN 18V 1A SOT23-3
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
17951 Pieces
Tietolomake:
MMBT123S-7.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä MMBT123S-7, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma MMBT123S-7 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa MMBT123S-7 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):18V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:500mV @ 30mA, 300mA
transistori tyyppi:NPN
Toimittaja Device Package:SOT-23-3
Sarja:-
Virta - Max:300mW
Pakkaus:Cut Tape (CT)
Pakkaus / Case:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Muut nimet:MMBT123SDICT
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:MMBT123S-7
Taajuus - Siirtyminen:100MHz
Laajennettu kuvaus:Bipolar (BJT) Transistor NPN 18V 1A 100MHz 300mW Surface Mount SOT-23-3
Kuvaus:TRANS NPN 18V 1A SOT23-3
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:150 @ 100mA, 1V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):1µA (ICBO)
Nykyinen - Collector (le) (Max):1A
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit