Ostaa MMBT6428LT1G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 50V |
---|---|
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 600mV @ 5mA, 100mA |
transistori tyyppi: | NPN |
Toimittaja Device Package: | SOT-23-3 (TO-236) |
Sarja: | - |
Virta - Max: | 225mW |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Muut nimet: | MMBT6428LT1GOS MMBT6428LT1GOS-ND MMBT6428LT1GOSTR |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 8 Weeks |
Valmistajan osanumero: | MMBT6428LT1G |
Taajuus - Siirtyminen: | 700MHz |
Laajennettu kuvaus: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 200mA 700MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
Kuvaus: | TRANS NPN 50V 0.2A SOT23 |
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 250 @ 100µA, 5V |
Nykyinen - Collector Cutoff (Max): | 100nA |
Nykyinen - Collector (le) (Max): | 200mA |
Email: | [email protected] |