Ostaa MMIX1T550N055T2 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
MMIX1T550N055T2
- Osa numero:
- MMIX1T550N055T2
- Valmistaja:
- IXYS Corporation
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 55V 550A SMPD
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 17525 Pieces
- Tietolomake:
- MMIX1T550N055T2.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä MMIX1T550N055T2, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma MMIX1T550N055T2 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.8V @ 250µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | 24-SMPD |
| Sarja: | FRFET®, SupreMOS® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 1.3 mOhm @ 100A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 830W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | 24-PowerSMD, 21 Leads |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 26 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | MMIX1T550N055T2 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 40000pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 595nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 55V 550A (Tc) 830W (Tc) Surface Mount 24-SMPD |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 55V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 55V 550A SMPD |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 550A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat MMIX1T550N055T2
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
MMIX1X100N60B3H1 | IXYS | IGBT 600V 145A 400W SMPD | tiedustelu |
 |
MMIX1T600N04T2 | IXYS | MOSFET N-CH 40V 600A SMPD | tiedustelu |
|
MMIX1F210N30P3 | IXYS | MOSFET N-CH 300V 108A MMIX | tiedustelu |
|
MMIX1X200N60B3H1 | IXYS | IGBT 600V 175A 520W SMPD | tiedustelu |
 |
MMIX1F44N100Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 30A | tiedustelu |
|
MMIX1F40N110P | IXYS | MOSFET N-CH 1100V 24A SMPD | tiedustelu |
|
MMIX1F360N15T2 | IXYS | MOSFET N-CH 150V 235A | tiedustelu |
|
MMIX1X200N60B3 | IXYS | IGBT 600V 223A 625W SMPD | tiedustelu |
 |
STF2N62K3 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 620V 2.2A TO-220FP | tiedustelu |
 |
FQI3N30TU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 300V 3.2A I2PAK | tiedustelu |
|
MMIX1Y100N120C3H1 | IXYS | IGBT 1200V 92A 400W SMPD | tiedustelu |
|
MMIX1F160N30T | IXYS | MOSFET N-CH 300V 102A SMPD | tiedustelu |
|
MMIX1F420N10T | IXYS | MOSFET N-CH 100V 334A SMPD | tiedustelu |
|
MMIX1F230N20T | IXYS | MOSFET N-CH 200V 168A SMPD | tiedustelu |
 |
MMIX1T132N50P3 | IXYS | SMPD HIPERFETS & MOSFETS | tiedustelu |
|
MMIX1F132N50P3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 63A SMPD | tiedustelu |
|
MMIX1G120N120A3V1 | IXYS | IGBT 1200V 220A 400W SMPD | tiedustelu |
|
MMIX1F180N25T | IXYS | MOSFET N-CH 250V 130A SMPD | tiedustelu |
 |
MMIX1H60N150V1 | IXYS | THYRISTOR MOS 1500V 60A SMPD | tiedustelu |
|
MMIX1F520N075T2 | IXYS | MOSFET N-CH 75V 500A | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog