MPSA14G
Osa numero:
MPSA14G
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
TRANS NPN DARL 30V 0.5A TO-92
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
16979 Pieces
Tietolomake:
MPSA14G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä MPSA14G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma MPSA14G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa MPSA14G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:1.5V @ 100µA, 100mA
transistori tyyppi:NPN - Darlington
Toimittaja Device Package:TO-92-3
Sarja:-
Virta - Max:625mW
Pakkaus:Bulk
Pakkaus / Case:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Muut nimet:MPSA14G-ND
MPSA14GOS
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:MPSA14G
Taajuus - Siirtyminen:125MHz
Laajennettu kuvaus:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 30V 500mA 125MHz 625mW Through Hole TO-92-3
Kuvaus:TRANS NPN DARL 30V 0.5A TO-92
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:20000 @ 100mA, 5V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Nykyinen - Collector (le) (Max):500mA
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit