MPSA29RLRP
Osa numero:
MPSA29RLRP
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
TRANS NPN DARL 100V 0.5A TO92
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
19867 Pieces
Tietolomake:
MPSA29RLRP.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä MPSA29RLRP, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma MPSA29RLRP sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa MPSA29RLRP BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:1.5V @ 100µA, 100mA
transistori tyyppi:NPN - Darlington
Toimittaja Device Package:TO-92-3
Sarja:-
Virta - Max:625mW
Pakkaus:Cut Tape (CT)
Pakkaus / Case:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Muut nimet:MPSA29RLRPOSCT
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:MPSA29RLRP
Taajuus - Siirtyminen:200MHz
Laajennettu kuvaus:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 500mA 200MHz 625mW Through Hole TO-92-3
Kuvaus:TRANS NPN DARL 100V 0.5A TO92
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:10000 @ 100mA, 5V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):500nA
Nykyinen - Collector (le) (Max):500mA
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit