MPSA63RLRAG
Osa numero:
MPSA63RLRAG
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
TRANS PNP DARL 30V 0.5A TO-92
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
18045 Pieces
Tietolomake:
MPSA63RLRAG.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä MPSA63RLRAG, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma MPSA63RLRAG sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa MPSA63RLRAG BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:1.5V @ 100µA, 100mA
transistori tyyppi:PNP - Darlington
Toimittaja Device Package:TO-92-3
Sarja:-
Virta - Max:625mW
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Muut nimet:MPSA63RLRAGOS
MPSA63RLRAGOS-ND
MPSA63RLRAGOSTR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:MPSA63RLRAG
Taajuus - Siirtyminen:125MHz
Laajennettu kuvaus:Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 30V 500mA 125MHz 625mW Through Hole TO-92-3
Kuvaus:TRANS PNP DARL 30V 0.5A TO-92
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:10000 @ 100mA, 5V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Nykyinen - Collector (le) (Max):500mA
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit