Ostaa MRF5P20180HR6 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
MRF5P20180HR6
- Osa numero:
- MRF5P20180HR6
- Valmistaja:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Kuvaus:
- FET RF 65V 1.99GHZ NI-1230
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 13958 Pieces
- Tietolomake:
- MRF5P20180HR6.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä MRF5P20180HR6, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma MRF5P20180HR6 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Testi: | 28V |
|---|---|
| Jännite - Rated: | 65V |
| transistori tyyppi: | LDMOS |
| Toimittaja Device Package: | NI-1230 |
| Sarja: | - |
| Virta - Output: | 38W |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | NI-1230 |
| Noise Kuva: | - |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Valmistajan osanumero: | MRF5P20180HR6 |
| Saada: | 14dB |
| Taajuus: | 1.93GHz ~ 1.99GHz |
| Laajennettu kuvaus: | RF Mosfet LDMOS 28V 1.6A 1.93GHz ~ 1.99GHz 14dB 38W NI-1230 |
| Kuvaus: | FET RF 65V 1.99GHZ NI-1230 |
| Nykyinen arvostelu: | - |
| Nykyinen - Testi: | 1.6A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat MRF5P20180HR6
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
MRF5P21180HR6 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.16GHZ NI-1230 | tiedustelu |
|
MRF5P21180HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.16GHZ NI-1230 | tiedustelu |
 |
MRF5P20180HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.99GHZ NI-1230 | tiedustelu |
 |
MRF5P21045NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.17GHZ TO-270-4 | tiedustelu |
|
MRF5P21240HR6 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI-1230 | tiedustelu |
 |
MMRF1012NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 120V 220MHZ | tiedustelu |
 |
BLM7G1822S-40PBGY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12121 | tiedustelu |
|
MRF5P21240HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI-1230 | tiedustelu |
 |
BLF6G27LS-75,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V SOT502B | tiedustelu |
 |
CGH60120D | Cree/Wolfspeed | RF MOSFET HEMT 28V DIE | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog