Ostaa MRF6V12250HR3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
MRF6V12250HR3
- Osa numero:
- MRF6V12250HR3
- Valmistaja:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Kuvaus:
- FET RF 100V 1.03GHZ NI-780
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 18813 Pieces
- Tietolomake:
- MRF6V12250HR3.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä MRF6V12250HR3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma MRF6V12250HR3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Testi: | 50V |
|---|---|
| Jännite - Rated: | 100V |
| transistori tyyppi: | LDMOS |
| Toimittaja Device Package: | NI-780 |
| Sarja: | - |
| Virta - Output: | 275W |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | NI-780 |
| Noise Kuva: | - |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Valmistajan osanumero: | MRF6V12250HR3 |
| Saada: | 20.3dB |
| Taajuus: | 1.03GHz |
| Laajennettu kuvaus: | RF Mosfet LDMOS 50V 100mA 1.03GHz 20.3dB 275W NI-780 |
| Kuvaus: | FET RF 100V 1.03GHZ NI-780 |
| Nykyinen arvostelu: | - |
| Nykyinen - Testi: | 100mA |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat MRF6V12250HR3
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
MRF6V13250HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 120V 1.3GHZ NI780S | tiedustelu |
|
MRF6V12250HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.03GHZ NI-780S | tiedustelu |
|
MRF6V12250HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.03GHZ NI-780S | tiedustelu |
 |
MRF6V12500HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 110V 1.03GHZ NI-780H | tiedustelu |
|
MRF6V12500HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 110V 1.03GHZ NI-1230H | tiedustelu |
|
MRF6V12250HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.03GHZ NI-780 | tiedustelu |
|
MRF6V12500HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 110V 1.03GHZ NI780HS | tiedustelu |
|
MRF6V10250HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.09GHZ NI780S | tiedustelu |
|
MRF6V12500HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 110V 1.03GHZ NI-780H | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog