Ostaa MSRT200100(A) BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
MSRT200100(A)
- Osa numero:
- MSRT200100(A)
- Valmistaja:
- GeneSiC Semiconductor
- Kuvaus:
- DIODE MODULE 1KV 200A 3TOWER
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 14312 Pieces
- Tietolomake:
- 1.MSRT200100(A).pdf2.MSRT200100(A).pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä MSRT200100(A), meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma MSRT200100(A) sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos: | 1.2V @ 200A |
|---|---|
| Jännite - DC Reverse (Vr) (Max): | 1000V (1kV) |
| Toimittaja Device Package: | Three Tower |
| Nopeus: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Sarja: | - |
| Pakkaus: | Bulk |
| Pakkaus / Case: | Three Tower |
| Muut nimet: | MSRT200100(A)GN MSRT200100A |
| Asennustyyppi: | Chassis Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 10 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | MSRT200100(A) |
| Laajennettu kuvaus: | Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 1000V (1kV) 200A (DC) Chassis Mount Three Tower |
| diodi Tyyppi: | Standard |
| diodikonfiguraatiolla: | 1 Pair Common Cathode |
| Kuvaus: | DIODE MODULE 1KV 200A 3TOWER |
| Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr: | 10µA @ 600V |
| Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io) (per Diode): | 200A (DC) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat MSRT200100(A)
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
MSRT200160(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER | tiedustelu |
|
MSRT200120(A) | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 1.2KV 200A 3TOWER | tiedustelu |
|
MSRT200160(A) | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 1.6KV 200A 3TOWER | tiedustelu |
|
MSRT200120(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER | tiedustelu |
|
MSRT200140(A) | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 1.4KV 200A 3TOWER | tiedustelu |
|
MSRT20080(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER | tiedustelu |
|
MSRT20060(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER | tiedustelu |
|
MSRT20060(A) | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER | tiedustelu |
|
MSRT200100(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog