MUN2232T1G
MUN2232T1G
Osa numero:
MUN2232T1G
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
14016 Pieces
Tietolomake:
MUN2232T1G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä MUN2232T1G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma MUN2232T1G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa MUN2232T1G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 1mA, 10mA
transistori tyyppi:NPN - Pre-Biased
Toimittaja Device Package:SC-59
Sarja:-
Vastus - Lähetin Base (R2) (ohmia):4.7k
Vastus - Base (R1) (ohmia):4.7k
Virta - Max:338mW
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Muut nimet:MUN2232T1G-ND
MUN2232T1GOSTR
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:10 Weeks
Valmistajan osanumero:MUN2232T1G
Taajuus - Siirtyminen:-
Laajennettu kuvaus:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 338mW Surface Mount SC-59
Kuvaus:TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:15 @ 5mA, 10V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):500nA
Nykyinen - Collector (le) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit