Ostaa MUN5111T1G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 50V |
---|---|
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 250mV @ 300µA, 10mA |
transistori tyyppi: | PNP - Pre-Biased |
Toimittaja Device Package: | SC-70-3 (SOT323) |
Sarja: | - |
Vastus - Lähetin Base (R2) (ohmia): | 10k |
Vastus - Base (R1) (ohmia): | 10k |
Virta - Max: | 202mW |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | SC-70, SOT-323 |
Muut nimet: | MUN5111T1G-ND MUN5111T1GOSTR |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 21 Weeks |
Valmistajan osanumero: | MUN5111T1G |
Taajuus - Siirtyminen: | - |
Laajennettu kuvaus: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 202mW Surface Mount SC-70-3 (SOT323) |
Kuvaus: | TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3 |
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 35 @ 5mA, 10V |
Nykyinen - Collector Cutoff (Max): | 500nA |
Nykyinen - Collector (le) (Max): | 100mA |
Email: | [email protected] |