MUN5237DW1T1
MUN5237DW1T1
Osa numero:
MUN5237DW1T1
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
12345 Pieces
Tietolomake:
MUN5237DW1T1.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä MUN5237DW1T1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma MUN5237DW1T1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa MUN5237DW1T1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 5mA, 10mA
transistori tyyppi:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Toimittaja Device Package:SC-88/SC70-6/SOT-363
Sarja:-
Vastus - Lähetin Base (R2) (ohmia):22k
Vastus - Base (R1) (ohmia):47k
Virta - Max:250mW
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Muut nimet:MUN5237DW1T1OS
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:MUN5237DW1T1
Taajuus - Siirtyminen:-
Laajennettu kuvaus:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Kuvaus:TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:80 @ 5mA, 10V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):500nA
Nykyinen - Collector (le) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit