MUR10060CTR
Osa numero:
MUR10060CTR
Valmistaja:
GeneSiC Semiconductor
Kuvaus:
DIODE MODULE 600V 100A 2TOWER
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
17225 Pieces
Tietolomake:
1.MUR10060CTR.pdf2.MUR10060CTR.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä MUR10060CTR, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma MUR10060CTR sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa MUR10060CTR BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos:1.7V @ 50A
Jännite - DC Reverse (Vr) (Max):600V
Toimittaja Device Package:Twin Tower
Nopeus:Fast Recovery = 200mA (Io)
Sarja:-
Käänteinen Recovery Time (TRR):110ns
Pakkaus:Bulk
Pakkaus / Case:Twin Tower
Muut nimet:MUR10060CTRGN
Käyttölämpötila - liitäntä:-55°C ~ 150°C
Asennustyyppi:Chassis Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:4 Weeks
Valmistajan osanumero:MUR10060CTR
Laajennettu kuvaus:Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 600V 100A (DC) Chassis Mount Twin Tower
diodi Tyyppi:Standard
diodikonfiguraatiolla:1 Pair Common Anode
Kuvaus:DIODE MODULE 600V 100A 2TOWER
Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr:25µA @ 50V
Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io) (per Diode):100A (DC)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit