Ostaa MUR2X030A06 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
MUR2X030A06
- Osa numero:
- MUR2X030A06
- Valmistaja:
- GeneSiC Semiconductor
- Kuvaus:
- DIODE GEN PURP 600V 60A SOT227
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 15208 Pieces
- Tietolomake:
- MUR2X030A06.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä MUR2X030A06, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma MUR2X030A06 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos: | 1.5V @ 30A |
|---|---|
| Jännite - DC Reverse (Vr) (Max): | 600V |
| Toimittaja Device Package: | SOT-227 |
| Nopeus: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Sarja: | - |
| Käänteinen Recovery Time (TRR): | 60ns |
| Pakkaus: | Bulk |
| Pakkaus / Case: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Muut nimet: | 1242-1306 |
| Käyttölämpötila - liitäntä: | -55°C ~ 175°C |
| Asennustyyppi: | Chassis Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 4 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | MUR2X030A06 |
| Laajennettu kuvaus: | Diode Array 2 Independent Standard 600V 60A Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC |
| diodi Tyyppi: | Standard |
| diodikonfiguraatiolla: | 2 Independent |
| Kuvaus: | DIODE GEN PURP 600V 60A SOT227 |
| Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr: | 25µA @ 600V |
| Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io) (per Diode): | 60A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat MUR2X030A06
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
MUR2X060A10 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 1KV 60A SOT227 | tiedustelu |
|
MUR2X030A04 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 30A SOT227 | tiedustelu |
|
MUR2X060A02 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 120A SOT227 | tiedustelu |
|
MUR2X060A06 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 120A SOT227 | tiedustelu |
|
MUR2X030A02 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 60A SOT227 | tiedustelu |
|
MUR2X030A10 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 1000V 60A SOT227 | tiedustelu |
|
MUR2X030A12 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 1200V 60A SOT227 | tiedustelu |
|
MUR2X060A12 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 1.2KV 60A SOT227 | tiedustelu |
|
MUR2X100A04 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 200A SOT227 | tiedustelu |
|
MUR2X060A04 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 120A SOT227 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog