Ostaa MURS260HE3_A/I BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
MURS260HE3_A/I
- Osa numero:
- MURS260HE3_A/I
- Valmistaja:
- Vishay / Semiconductor - Diodes Division
- Kuvaus:
- DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 12391 Pieces
- Tietolomake:
- MURS260HE3_A/I.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä MURS260HE3_A/I, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma MURS260HE3_A/I sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos: | 1.45V @ 2A |
|---|---|
| Jännite - DC Reverse (Vr) (Max): | 600V |
| Toimittaja Device Package: | DO-214AA (SMB) |
| Nopeus: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Sarja: | Automotive, AEC-Q101 |
| Käänteinen Recovery Time (TRR): | 75ns |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | DO-214AA, SMB |
| Käyttölämpötila - liitäntä: | -65°C ~ 175°C |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 27 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | MURS260HE3_A/I |
| Laajennettu kuvaus: | Diode Standard 600V 2A Surface Mount DO-214AA (SMB) |
| diodi Tyyppi: | Standard |
| Kuvaus: | DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA |
| Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr: | 5µA @ 600V |
| Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io): | 2A |
| Kapasitanssi @ Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat MURS260HE3_A/I
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
MURS260HE3_A/H | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA | tiedustelu |
|
MURS260HE3/52T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA | tiedustelu |
|
MURS240-E3/52T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA | tiedustelu |
|
MURS240HE3/5BT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA | tiedustelu |
|
MURS260HE3/5BT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA | tiedustelu |
|
MURS260-E3/5BT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA | tiedustelu |
|
MURS260-E3/52T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE RECT 2A 600V 50NS DO-214AA | tiedustelu |
|
MURS260-M3/52T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE RECT 2A 600V 50NS DO-214AA | tiedustelu |
|
MURS260-M3/5BT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE RECT 2A 600V 50NS DO-214AA | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog