MURTA600120
MURTA600120
Osa numero:
MURTA600120
Valmistaja:
GeneSiC Semiconductor
Kuvaus:
DIODE GEN 1.2KV 300A 3 TOWER
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
16390 Pieces
Tietolomake:
MURTA600120.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä MURTA600120, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma MURTA600120 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa MURTA600120 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos:2.6V @ 300A
Jännite - DC Reverse (Vr) (Max):1200V (1.2kV)
Toimittaja Device Package:Three Tower
Nopeus:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Sarja:-
Pakkaus:Bulk
Pakkaus / Case:Three Tower
Käyttölämpötila - liitäntä:-55°C ~ 150°C
Asennustyyppi:Chassis Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:4 Weeks
Valmistajan osanumero:MURTA600120
Laajennettu kuvaus:Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 1200V (1.2kV) 300A Chassis Mount Three Tower
diodi Tyyppi:Standard
diodikonfiguraatiolla:1 Pair Common Cathode
Kuvaus:DIODE GEN 1.2KV 300A 3 TOWER
Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr:25µA @ 1200V
Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io) (per Diode):300A
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit