MVGSF1N02LT1G
MVGSF1N02LT1G
Osa numero:
MVGSF1N02LT1G
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 20V 750MA SOT-23-3
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
17086 Pieces
Tietolomake:
MVGSF1N02LT1G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä MVGSF1N02LT1G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma MVGSF1N02LT1G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa MVGSF1N02LT1G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.4V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:SOT-23-3 (TO-236)
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:90 mOhm @ 1.2A, 10V
Tehonkulutus (Max):400mW (Ta)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:30 Weeks
Valmistajan osanumero:MVGSF1N02LT1G
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:125pF @ 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:-
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 20V 750mA (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Valua lähde jännite (Vdss):20V
Kuvaus:MOSFET N-CH 20V 750MA SOT-23-3
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:750mA (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit