NDD03N80ZT4G
NDD03N80ZT4G
Osa numero:
NDD03N80ZT4G
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
17962 Pieces
Tietolomake:
NDD03N80ZT4G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä NDD03N80ZT4G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma NDD03N80ZT4G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa NDD03N80ZT4G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 50µA
Vgs (Max):±30V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:DPAK
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:4.5 Ohm @ 1.2A, 10V
Tehonkulutus (Max):96W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Muut nimet:NDD03N80ZT4G-ND
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):3 (168 Hours)
Valmistajan toimitusaika:7 Weeks
Valmistajan osanumero:NDD03N80ZT4G
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:440pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:17nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 800V 2.9A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount DPAK
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):800V
Kuvaus:MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:2.9A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit