Ostaa NE25139-T1-U73 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
NE25139-T1-U73
- Osa numero:
- NE25139-T1-U73
- Valmistaja:
- CEL (California Eastern Laboratories)
- Kuvaus:
- FET RF 13V 900MHZ SOT-143
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 12725 Pieces
- Tietolomake:
- NE25139-T1-U73.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä NE25139-T1-U73, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma NE25139-T1-U73 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Testi: | 5V |
|---|---|
| Jännite - Rated: | 13V |
| transistori tyyppi: | MESFET Dual Gate |
| Toimittaja Device Package: | SOT-143 |
| Sarja: | - |
| Virta - Output: | - |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | TO-253-4, TO-253AA |
| Muut nimet: | NE25139-U73-T1 NE25139U73 NE25139U73-E1 NE25139U73-ND NE25139U73TR Q805260 |
| Noise Kuva: | 1.1dB |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | NE25139-T1-U73 |
| Saada: | 20dB |
| Taajuus: | 900MHz |
| Laajennettu kuvaus: | RF Mosfet MESFET Dual Gate 5V 10mA 900MHz 20dB SOT-143 |
| Kuvaus: | FET RF 13V 900MHZ SOT-143 |
| Nykyinen arvostelu: | 40mA |
| Nykyinen - Testi: | 10mA |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat NE25139-T1-U73
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
NE25139-T1 | CEL | FET RF 13V 900MHZ SOT-143 | tiedustelu |
 |
PTFB183404EV1R0XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS H-36275-8 | tiedustelu |
 |
BF245A_D27Z | Fairchild/ON Semiconductor | JFET N-CH 30V 6.5MA TO92 | tiedustelu |
|
PTFA220121MV4R1KXUMA1 | Infineon Technologies | RF MOSFET TRANSISTORS | tiedustelu |
 |
BLF8G20LS-400PVU | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1242B | tiedustelu |
 |
MRF7P20040HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.03GHZ NI780HS-4 | tiedustelu |
 |
BLF1822-10,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 13.5DB SOT467C | tiedustelu |
 |
PTFA080551FV4R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 55W H-37265-2 | tiedustelu |
 |
BLF8G10LS-270GV,12 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244C | tiedustelu |
 |
BLP8G20S-80PY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12231 | tiedustelu |
 |
BLA1011-200R,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 75V 13DB SOT502A | tiedustelu |
 |
BLF6G10LS-200RN:11 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502B | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog