Ostaa NE3511S02-A BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
NE3511S02-A
- Osa numero:
- NE3511S02-A
- Valmistaja:
- CEL (California Eastern Laboratories)
- Kuvaus:
- HJ-FET NCH 13.5DB S02
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 14173 Pieces
- Tietolomake:
- 1.NE3511S02-A.pdf2.NE3511S02-A.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä NE3511S02-A, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma NE3511S02-A sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Testi: | 2V |
|---|---|
| Jännite - Rated: | 4V |
| transistori tyyppi: | HFET |
| Toimittaja Device Package: | S02 |
| Sarja: | - |
| Virta - Output: | - |
| Pakkaus: | Bulk |
| Pakkaus / Case: | 4-SMD, Flat Leads |
| Muut nimet: | NE3511S02A |
| Noise Kuva: | 0.3dB |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | NE3511S02-A |
| Saada: | 13.5dB |
| Taajuus: | 12GHz |
| Laajennettu kuvaus: | RF Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 13.5dB S02 |
| Kuvaus: | HJ-FET NCH 13.5DB S02 |
| Nykyinen arvostelu: | 70mA |
| Nykyinen - Testi: | 10mA |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat NE3511S02-A
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
NE3513M04-T2B-A | CEL | FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD | tiedustelu |
 |
NE3512S02-T1C-A | CEL | HJ-FET NCH 13.5DB S02 | tiedustelu |
|
NE3511S02-T1C-A | CEL | IC AMP RF LNA 13.5DB S02 | tiedustelu |
|
NE3512S02-A | CEL | HJ-FET NCH 13.5DB S02 | tiedustelu |
|
NE3516S02-T1C-A | CEL | IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX | tiedustelu |
 |
NE3513M04-A | CEL | FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD | tiedustelu |
|
NE3510M04-T2-A | CEL | FET RF 4V 4GHZ M04 | tiedustelu |
|
NE3514S02-A | CEL | HJ-FET NCH 10DB S02 | tiedustelu |
 |
BLC9G20XS-550AVT | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 15.4DB SOT12587 | tiedustelu |
|
NE3514S02-T1C-A | CEL | HJ-FET NCH 10DB S02 | tiedustelu |
|
NE3513M04-T2-A | CEL | FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD | tiedustelu |
|
NE3515S02-T1D-A | CEL | FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 | tiedustelu |
|
NE3515S02-A | CEL | FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 | tiedustelu |
|
NE3517S03-T1C-A | CEL | FET RF 4V 20GHZ S03 | tiedustelu |
|
NE3510M04-A | CEL | FET RF 4V 4GHZ M04 | tiedustelu |
|
NE3515S02-T1C-A | CEL | FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 | tiedustelu |
|
NE3516S02-A | CEL | IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog